石墨烯生长、CVD沉积炉

设备介绍

本设备是由本公司*，具有国家发明**的高端PECVD系统。

特点：与传统CVD系统比较，生长温度更低；使用滑轨炉实现快速升温和降温，沉积速度快；设备特有的**技术使得整管辉光均匀等效，均匀生长，成膜质量好，不易龟裂。

用途：可在片状或类似形状样品表面沉积SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SiC、类金刚石等多种薄膜，并可沉积p型、n型掺杂薄膜。沉积的薄膜具有良好的均匀性、致密性、粘附性、绝缘性。

 

  此款设备配有Plasma实现等离子增强，滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处，使样品能得到一个快速的升温速度，同样也可将高温的管式炉直接推离样品处，使样品直接暴露在室温环境下，得到快速的降温速率。并可选配气氛微调装置，可准确的控制反应腔体内部的气体压力，带刻度的调节阀对于做低压CVD非常简单实用，工艺重复性好，对于石墨烯生长工艺非常合适，也同样适用于要求快速升降温的CVD实验。

 

三、主要组成系统及特点：

 

 

 

本设备主要由管式加热炉体，真空系统，质子流量供气系统，射频等离子源，石英反应腔室等部件组成。

 

主要特点：

 

    1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。

 

    2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。

 

    3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。

 

    4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。

 

    5、广泛应用于：各种薄膜的生长，如：SiOx, SiNx, SiOxNy和无定型硅(a-Si:H)等。